У TSMC всё идёт по плану: массовое производство 3-нм чипов стартует в 2022 году, а в освоении 2-нм норм произошёл прорыв

6c4538a252fabd967de1b363e04fa97d

Пoслe 5-нм нoрм слeдующими вaжным тexнoлoгичeским прoцeссoм для TSMC стaнут 3 нм. Пo слoвaм тaйвaньскoгo прoизвoдитeля, исслeдoвaния и рaзрaбoткa eё 3-нм тexпрoцeссa прoдвигaются в сooтвeтствии с грaфикoм. Кoмпaния нeдaвнo объявила, что запустит пробное производство в 2021 году. Однако крупномасштабная массовая печать должна начаться во второй половине 2022 года.

Хотя ещё почти два года, прежде чем 3-нанометровый процесс TSMC перейдёт в стадию массового производства, многие её клиенты уже заинтересованы в этих передовых нормах. Сообщается, что TSMC готовит четыре волны развёртывания 3-нм производственных мощностей. Львиная доля первой волны будет передана Apple, что вполне ожидаемо. Начиная с процессора A10 в серии смартфонов iPhone 7 2016 года, процессоры Apple серии A производятся исключительно на мощностях TSMC и им всегда отдаётся приоритет.

3-нм техпроцесс должен существенно улучшить производительность и энергоэффективность чипов. На собраниях, посвящённых финансовым отчётам компании в первом и втором кварталах этого года, исполнительный директор TSMC Вэй Чжэцзя (Wei Zhejia) сообщил, что по сравнению с 5-нм техпроцессом 3-нм нормы позволят увеличить плотность транзисторов на 70 %, а также повысить частоты чипов на 10–15 % при том же энергопотреблении. В свою очередь энергоэффективность при прежних частотах увеличится на 25–30 %.

По данным Taiwan Economic Daily, TSMC уже добилась большого прорыва в освоении 2-нм техпроцесса. Процесс исследований и разработок сейчас находится на продвинутой стадии. Компания оптимистично настроена в отношении того, что во второй половине 2023 года количество годных кристаллов при её пробном 2-нм производстве может достичь 90 %. Цепочки поставок также показывают, что в отличие от 3-нм и 5-нм процессов, в которых используется FinFET, в 2-нм процессе TSMC применяется новая архитектура полевых транзисторов MBCFET (Multi Bridge Channel FET), у которых транзисторный канал будет выглядеть как несколько расположенных друг над другом каналов в виде наностраниц, окружённых со всех сторон затвором (об этих транзисторах в исполнении Samsung можно почитать в нашем материале за 14 марта 2019 года).

В прошлом году TSMC создала группу исследований и разработок 2-нм норм, чтобы найти оптимальный путь развития. Использование MBCFET позволит преодолеть физический предел утечек тока для объёмных транзисторов FinFET. TSMC ранее сообщала, что её разработка 2-нм техпроцесса будет производиться в Баошане и Синьчжу. Она также планирует построить четыре огромных завода P1–P4 по производству сверхбольших кремниевых пластин (диаметром 450 мм) на площади более 90 гектаров. Если учесть текущий прогресс в исследованиях и разработках 2-нм норм TSMC, компания должна выйти на массовое производство в 2024 году.

Комментирование и размещение ссылок запрещено.

Комментарии закрыты.